商品名稱：MT62F768M64D4CZ-023 AAT:C
數(shù)據(jù)手冊：
MT62F768M64D4CZ-023?AAT_C.pdf
品牌：Micron
年份：23+
封裝：BGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
48Gbit內(nèi)存芯片MT62F768M64D4CZ-023 AAT:C 汽車LPDDR5X SDRAM內(nèi)存IC
規(guī)格
數(shù)據(jù)總線寬度：64位
組織：768 M x 64
存儲器大?。?8 Gbit
電源電壓 - 最大：1.95 V
電源電壓 - 最小：1.7 V
最低操作溫度: - 40 C
最高工作溫度：+ 105 C
產(chǎn)品介紹
MT62F768M64D4CZ-023 AAT:C 與LPDDR4相比，電源效率超過20%，使旗艦智能手機在兩次充電之間可以運行更長時間。
應(yīng)用
沉浸式娛樂
增強的游戲
客戶端電腦
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機及外設(shè)、消費電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建，總部位于美國愛德荷州，有員工約16,000人，擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
MT54A16G8080A00AC-32:A
MT54A16G8080A00AC-32:A 是高性能 HBM2E（High Bandwidth Memory 2nd Enhanced）內(nèi)存組件。
M29F800FB5AN6E2
M29F800FB5AN6E2一款 8Mbit (1M x 8) 并行 NOR 閃存芯片，采用 5V 電源供電，提供可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案，廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制、通信設(shè)備等領(lǐng)域。M29F800FB5AN6E2產(chǎn)品屬性：產(chǎn)品種類: NOR閃存 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: TSOP-48 存儲容量: 8 Mbit 電源電…
MT61K512M32KPA-14C:B
MT61K512M32KPA-14C:B GDDR6 SGRAM 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，專為需要高帶寬的應(yīng)用而設(shè)計。
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MT61K512M32KPA-21:U是一款由（Micron）生產(chǎn)的存儲器芯片，具有16 Gbit的存儲容量。由于其高性能和可靠性，它被廣泛應(yīng)用于各種高端電子設(shè)備中?；緟?shù)類型：SGRAM - GDDR6存儲容量：16 Gbit數(shù)據(jù)總線寬度：32 bit最大時鐘頻率：2.625 GHz封裝 / 箱體：TFBGA-180組織：51…
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MT61K512M32KPA-24:U是由Micron公司生產(chǎn)的一款動態(tài)隨機存取存儲器IC，適用于需要高速數(shù)據(jù)傳輸和大量存儲空間的電子設(shè)備，如高性能計算、圖形處理、視頻編輯等領(lǐng)域。由于其高性能和可靠性，它被廣泛應(yīng)用于各種高端電子設(shè)備中。技術(shù)規(guī)格類型：SGRAM - GDDR6存儲容量：16 Gb…
MT61M256M32JE-12 AAT:A
MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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