Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領先的 24 納米生產(chǎn)技術，同時支持更小的電路板尺寸（移動設備等）。
TH58NVG2S3HAI0—FLASH - NAND（SLC） 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I
類別： 存儲器
制造商： Kioxia America, Inc.
包裝： 托盤
零件狀態(tài)： 在售
存儲器類型： 非易失
存儲器格式： 閃存
技術： FLASH - NAND（SLC）
存儲容量： 4Gb
存儲器組織： 512M x 8
存儲器接口： 并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁： 25ns
訪問時間： 25 ns
電壓 - 供電： 2.7V ~ 3.6V
工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商器件封裝： 48-TSOP I
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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（KIOXIA）鎧俠是全球存儲器解決方案領導者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存， 2017年4月，鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離，開創(chuàng)了先進的存儲解決方案和服務，可豐富人們的生活并擴大社會的視野。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技…
THGBMNG5D1LBAIL
THGBMNG5D1LBAIL 是一款高性能 eMMC 產(chǎn)品，該器件配備了一個集成控制器，該控制器支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版的高速內(nèi)存接口，無需主機處理器直接控制閃存。對于許多由于密度要求較低或處理器尚不支持 UFS 接口而無法遷移到最新一代 UFS 的應用來說，e-MMC 仍然是一個重要…
THGBMJG6C1LBAB7
THGBMJG6C1LBAB7是一款NAND閃存類型的存儲器，其主要用于手機、平板電腦、消費電子產(chǎn)品及固態(tài)硬盤（SSD）等多種應用場合。
THGAMRG8T13BAIL
THGAMRG8T13BAIL e-MMC? NAND閃存采用比特列堆疊 （BiCS） FLASH? 3D 技術。該閃存為需要以經(jīng)濟高效的方式存儲更高數(shù)據(jù)量的應用提供了最佳解決方案。THGAM eMMC 閃存完全符合多媒體卡協(xié)會 （MMCA） 高速內(nèi)存接口標準。這些閃存符合最新的 JEDEC 5.1 版。規(guī)格：產(chǎn)品：TH…
TH58NVG2S3HTAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領先的 24 納米生產(chǎn)技術，同時支持更小的電路板尺寸（移動設備等）。TH58NVG2S3HTAI0—FLASH - NAND（SLC） 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I類別： 存…
TH58NYG2S3HBAI4
TH58NYG2S3HBAI4 SLC NAND 高級閃存為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供了最先進的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。特點SLC NAND 24nm1Gb - 128Gb擴展溫度范圍TSOP 和 BGA 封裝BENAND 24 納米內(nèi)置 ECC SLC NAND1Gb - 8Gb片上 H/W ECC與原始 SLC 相同的可靠性和性能與原始 SLC 相同的硬…
THGAMVT0T43BAIR
THGAMVT0T43BAIR廣泛的高性能 e-MMC 產(chǎn)品將閃存和 e-MMC控制器集成在一個 BGA 封裝中，可執(zhí)行糾錯、損耗均衡、邏輯到物理地址轉(zhuǎn)換和壞塊管理等功能。這些解決方案支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版標準的高速存儲器接口，無需主機直接控制閃存。產(chǎn)品屬性存儲器類型：非易失存儲器…電話咨詢：86-755-83294757
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