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IMW65R010M2H：650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，TO-247-3

型號：IMW65R010M2H

封裝：TO-247-3

類型：碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管

IMW65R010M2H - 產(chǎn)品規(guī)格：

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

安裝風格: 通孔

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 130 A

Rds On-漏源導通電阻: 13.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.6 V

Qg-柵極電荷: 112 nC

最小工作溫度: - 55℃

最大工作溫度: + 175℃

Pd-功率耗散: 440 W

應用領域：

儲能系統(tǒng)

單相組串式逆變器解決方案

電動汽車快速充電

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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