商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
FF3MR12KM1HP 是 62 mm CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,電壓 1200 V,電流 2.9 mΩ G1,采用眾所周知的 62mm 外殼,結(jié)合 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
FF3MR12KM1HP 的特點(diǎn)
高電流密度
開(kāi)關(guān)損耗低
卓越的柵極氧化可靠性
堅(jiān)固的集成體二極管
高宇宙射線魯棒性
高速開(kāi)關(guān)模塊
對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)
標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)技術(shù)
FF3MR12KM1HP 的優(yōu)點(diǎn)
最大限度地減少冷卻工作
減少體積和尺寸
降低系統(tǒng)成本
FF3MR12KM1HP 的應(yīng)用
交直流輔助電源
儲(chǔ)能系統(tǒng)
光伏系統(tǒng)
固態(tài)斷路器
牽引
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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