數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動下，預計到2030年，這一數(shù)字將增長到7%左右，相當于整個印度目前的能耗。實現(xiàn)從電網(wǎng)到核心的高效功率轉(zhuǎn)換對于實現(xiàn)卓越的功率密度至關重要，從而在降低總擁有成本（TCO）的同時提高計算性能。因此，英飛凌科技股份公…
數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動下，預計到2030年，這一數(shù)字將增長到7%左右，相當于整個印度目前的能耗。實現(xiàn)從電網(wǎng)到核心的高效功率轉(zhuǎn)換對于實現(xiàn)卓越的功率密度至關重要，從而在降低總擁有成本（TCO）的同時提高計算性能。因此，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）將推出TDM2354xD和TDM2354xT雙相電源模塊，具有出色的功率密度，適用于高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些模塊實現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸（VPD），并提供了業(yè)界領先的電流密度1.6A/mm2。英飛凌在今年早些時候還推出了TDM2254xD雙相功率模塊。
英飛凌科技公司電源IC副總裁Rakesh Renganathan表示：“我們很自豪能夠使用我們的TDM2354xT和TDM2354xD VPD模塊助力高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些半導體器件將憑借英飛凌的商標質(zhì)量和穩(wěn)健性更大程度地提高系統(tǒng)性能，從而為數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)更佳TCO。我們行業(yè)領先的功率器件和封裝技術，結(jié)合我們廣泛的系統(tǒng)專業(yè)知識，將進一步推進高性能和綠色計算，作為我們推動數(shù)字化和脫碳使命的一部分。”
通過采用英飛凌強大的OptiMOS? 6溝道技術、芯片嵌入式封裝（通過提高電氣和熱效率實現(xiàn)超高功率密度），以及新型電感器技術，TDM2354xD和TDM2354xT模塊的外形變得更薄，進而實現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸。這兩款模塊也因此樹立了功率密度和質(zhì)量的新標準，更大程度地提高了AI數(shù)據(jù)中心的計算性能和效率。TDM2354xT模塊支持的最大電流為160 A，是業(yè)內(nèi)首款采用8 x 8 mm2 小外形尺寸的跨電感穩(wěn)壓器（TLVR）模塊。兩款模塊在與英飛凌的 XDP?控制器相結(jié)合后，可提供極快的瞬態(tài)響應，并且最多可將板載輸出電容降低50%，進一步提高了系統(tǒng)功率密度。
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