深圳市明佳達電子有限公司【供應(yīng)】英飛凌 GS-065-018-2-L-MR CoolGaN?晶體管650 V ≤G3，具有極高的效率和可靠性。概述：GS-065-018-2-L-MR是一款增強型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管，…
深圳市明佳達電子有限公司【供應(yīng)】英飛凌 GS-065-018-2-L-MR CoolGaN?晶體管650 V ≤G3，具有極高的效率和可靠性。
概述：
GS-065-018-2-L-MR是一款增強型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。 采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管，可實現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的理想功耗。
年份：24+
封裝：PDFN 8x8
描述：表面貼裝型 N 通道 650 V 18A（Tc） 8-PDFN（8x8）
特征描述
增強型 HEMT – 常閉
超快開關(guān)
無反向恢復(fù)電荷
具有反向?qū)芰?/span>
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向強度
符合JEDEC標(biāo)準（JESD47、JESD22）
底部冷卻
零反向恢復(fù)損耗
源極檢測焊盤可實現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動
快速、可控的下降和上升時間
符合 RoHS 3(6+4) 標(biāo)準
應(yīng)用領(lǐng)域
AC-DC
USB供電-USB PD適配器和充電器
電源
工業(yè)
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