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晶體管 NTMFS4C09NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH

來源：本站時(shí)間：2022-10-10瀏覽數(shù)：

深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng)晶體管 NTMFS4C09NT1G MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH，只做原裝，大量工廠庫存現(xiàn)貨，公司也回收電子呆料庫存，只收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有多余庫存需處理歡迎聯(lián)系。

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制造商：onsemi

產(chǎn)品型號：NTMFS4C09NT1G

描述：MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN

詳細(xì)描述：表面貼裝型 N 通道 30 V 9A（Ta） 760mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8FL-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 52 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 22.2 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 25.5 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 6 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 32 ns

系列: NTMFS4C09N

工廠包裝數(shù)量: 1500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 16 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

單位重量: 750 mg

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高價(jià)回收電子呆料庫存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機(jī)IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動(dòng)IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲器、繼電器、MOS管、單片機(jī)、二三級管等產(chǎn)品。

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