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供應和收購MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V

來源：本站時間：2022-09-01瀏覽數(shù)：

明佳達供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B、FS03MR12A6MA1BBPSA1，全新原裝，質量保證，價格優(yōu)勢，有庫存呆料需處理的歡迎聯(lián)系，公司還回收一系列模塊如：5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍牙5.0、以太網(wǎng)、…

碳化硅 MOSFET 模塊 FS03MR12A6MA1B 該電源模塊采用新的 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V

描述：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 400A（Tj） 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

規(guī)格參數(shù)

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：400A（Tj）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.7 毫歐 @ 400A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：42.5nF @ 600V

功率 - 最大值：20mW

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-HYBRIDD-2

功能總結

電氣特性

新型半導體材料——碳化硅

阻斷電壓 1200V

低RDSon

低開關損耗

低 Og 和 Crss

低電感設計 <10nH

T vj op= 150°C

機械特性

4.2kV DC 1sec 絕緣

高爬電距離和電氣間隙

緊湊的設計

高功率密度

直冷PinFin底板

高性能 Si3N4 陶瓷

PCB 和冷卻器組件的導向元件

集成 NTC 溫度傳感器

PressFIT 接觸技術

符合 RoHS 標準

UL 94 V0 模塊框架

產(chǎn)品型號：FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1

批次：最新21+

封裝：Module

明佳達供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1，全新原裝，質量保證，價格優(yōu)勢，有庫存呆料需處理的歡迎聯(lián)系，公司還回收一系列模塊如：5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍牙5.0、以太網(wǎng)、傳感器、光模塊、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。

要求：只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。

公司首頁：m.stylb.cn

碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A 返回
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