隨著第三代半導體材料氮化鎵（GaN）技術(shù)的突破，其在工業(yè)電源、電動汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應用呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。英飛凌（Infineon）作為全球半導體行業(yè)領(lǐng)導者，推出的全新工業(yè)用GaN晶體管系列（如IGT系列）憑借高頻高效、低損耗等特性，正成為高端工業(yè)設(shè)備升級的核心組件…
隨著第三代半導體材料氮化鎵（GaN）技術(shù)的突破，其在工業(yè)電源、電動汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應用呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。英飛凌（Infineon）作為全球半導體行業(yè)領(lǐng)導者，推出的全新工業(yè)用GaN晶體管系列（如IGT系列）憑借高頻高效、低損耗等特性，正成為高端工業(yè)設(shè)備升級的核心組件。然而，生產(chǎn)環(huán)節(jié)的冗余庫存、測試樣品或終端設(shè)備的退役，使得部分未使用的GaN芯片面臨資源浪費。在此背景下，深圳市明佳達電子有限公司以專業(yè)回收能力推動GaN晶體管的循環(huán)再利用，助力企業(yè)實現(xiàn)經(jīng)濟與環(huán)保雙贏。
重點回收產(chǎn)品
Infineon的GaN晶體管在高達 700 V 的電壓范圍內(nèi)可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。這些器件不僅符合廣泛標準，還超越行業(yè)標準。GaN技術(shù)大大提高了系統(tǒng)的整體性能，并最大限度地降低了系統(tǒng)成本，提高了易用性。
產(chǎn)品特點
40 V - 700 V GaN 晶體管
增強型（e-mode）
4 A 至 150 A 選擇范圍
集成功率級
廣泛的封裝選擇
超快開關(guān)速度
無反向恢復電荷
可反向傳導
低柵極和輸出電荷
卓越的 FOMs
產(chǎn)品應用
氮化鎵的目標應用包括 USB-C 適配器和充電器、48 V 配電、服務(wù)器和電信開關(guān)電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動器、機器人和無人機等。
明佳達的回收流程
?1、精準評估體系?
采用X射線檢測、電性能測試等手段，對英飛凌GaN晶體管（如IGT60R070D1、IGT40R070D1等）進行嚴格分級，區(qū)分全新未使用、翻新可用及待分解物料，確保每一顆芯片流向明確。
?2、數(shù)據(jù)安全與可追溯?
針對含嵌入式數(shù)據(jù)的工業(yè)模塊，提供物理銷毀或數(shù)據(jù)擦除服務(wù)，保障客戶信息安全；全程記錄芯片來源、檢測結(jié)果及處理路徑，支持二維碼溯源查詢。
?3、定制化回收方案?
根據(jù)客戶需求提供批量回收、代銷和寄賣等多種靈活合作模式，支持跨境物流與合規(guī)報關(guān)服務(wù)。
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