【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英…
【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。
CoolGaN? G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合
英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線負責(zé)人Antoine Jalabert博士表示：“這兩款新器件兼容行業(yè)標準硅MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產(chǎn)品上市速度的需求。
CoolGaN? G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導(dǎo)通電阻為 1.1 mΩ；CoolGaN? G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略，以及與硅基設(shè)計形成互補的布局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應(yīng)能夠在常見封裝中實現(xiàn)高性能晶體管輸出。
此外，這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發(fā)，因此不僅能提高熱傳導(dǎo)性，還具有很高的熱循環(huán)穩(wěn)定性。
供貨情況
采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。
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