深圳市明佳達電子有限公司供應英飛凌存儲器 S29GL032N90TFI030 NOR 閃存 3V 32Mb 并聯 90 ns 48-TSOP,全新原裝,質量保證,歡迎咨詢?。?!產品描述:S29GL032N90TFI030器件是采用 110 納米 MirrorBit 技術制造的 3.0 伏單電源閃存。S29GL032N90TFI030是一款 32-Mb 器件,…
深圳市明佳達電子有限公司供應英飛凌存儲器 S29GL032N90TFI030 NOR 閃存 3V 32Mb 并聯 90 ns 48-TSOP,全新原裝,質量保證,歡迎咨詢!??!
產品描述:
S29GL032N90TFI030器件是采用 110 納米 MirrorBit 技術制造的 3.0 伏單電源閃存。S29GL032N90TFI030是一款 32-Mb 器件,按 2,097,152 字或 4,194,304 字節(jié)組織。根據型號的不同,這些器件只有 16 位寬數據總線,或 16 位寬數據總線,通過使用 BYTE# 輸入,還可用作 8 位寬數據總線。可通過主機系統(tǒng)或標準 EPROM 編程器對器件進行編程。
產品優(yōu)勢:
單電源運行
采用 110 納米 MirrorBit 工藝技術制造
安全硅扇區(qū)
128 字/256 字節(jié)扇區(qū),通過 8 字/16 字節(jié)隨機電子序列號進行永久安全識別,可通過命令序列訪問
在工廠或由客戶編程和鎖定
靈活的扇區(qū)結構
32 Mb(統(tǒng)一扇區(qū)型號): 64 個 32K 字(64 KB)扇區(qū)
32 Mb(引導扇區(qū)型號): 63 個 32K 字(64 KB)扇區(qū) + 8 個 4K 字(8KB)引導扇區(qū)
增強型 VersatileI/O? 控制
所有輸入電平(地址、控制和 DQ 輸入電平)和輸出均由 VIO 輸入電壓決定。VIO 范圍為 1.65 至 VCC
與 JEDEC 標準兼容
為單電源閃存提供引腳輸出和軟件兼容性,并提供出色的無意寫入保護
每個扇區(qū)典型擦除次數為 100,000 次
20 年典型數據保存期
S29GL032N90TFI030器件參數:
存儲器類型: 非易失
存儲器格式: 閃存
技術: FLASH - NOR
存儲容量: 32Mb
存儲器組織: 4M x 8,2M x 16
存儲器接口: 并聯
寫周期時間 - 字,頁: 90ns
訪問時間: 90 ns
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應商器件封裝: 48-TSOP
聯系方式
QQ:1668527835
電話:13410018555
郵箱:chen13410018555@163.com
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電話咨詢:86-755-83294757
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