深圳市明佳達電子有限公司供應和收購羅姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面貼裝型 N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7LROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受時間并實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻的第4代產品。與以往產品相比，該系列產品的導通電阻降低了約40%，…
深圳市明佳達電子有限公司供應和收購羅姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面貼裝型 N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7L
ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受時間并實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻的第4代產品。與以往產品相比，該系列產品的導通電阻降低了約40%，開關損耗降低了約50%。另外，該產品還支持更容易處理的15V柵-源電壓，使應用產品的設計更容易。
產品描述：
SCT4062KW7HRTL是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。該產品采用溝槽結構實現(xiàn)了更低的導通電阻，是符合AEC-Q101標準的高可靠性車規(guī)級產品。
產品特點：
符合AEC-Q101標準
低導通電阻
開關速度快
快速的反向恢復
易于并聯(lián) 易于驅動
無鉛電鍍；符合RoHS標準
產品屬性：
FET 類型： N 通道
技術： SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）： 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 81 毫歐 @ 12A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.8V @ 6.45mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 64 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +21V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1498 pF @ 800 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 93W
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應商器件封裝： TO-263-7L
封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
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