商品名稱:IFS100B12N3E4PB11
數(shù)據(jù)手冊:IFS100B12N3E4PB11.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IFS100B12N3E4PB11 1200V MIPAQ? base 六單元 IGBT 模塊,采用第四代溝槽柵/場終止 IGBT、電流感測分流器、發(fā)射極控制 HE 二極管和 NTC。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:全橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150 A
功率 - 最大值:515 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):6.2 nF @ 25 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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CY15B204QSN-108SXET是一款高性能、符合 AEC-Q100 標準的 4 Mbit 非易失性存儲器,專為高可靠性汽車應(yīng)用而設(shè)計,支持高達 125 C 的溫度。 它配備高速、低引腳數(shù) QSPI 接口,可提供高達 432Mbits/s 的讀/寫帶寬。與串行閃存不同,它以總線速度執(zhí)行寫入作,確保無寫入延遲,…ICE5GR4780AG
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