商品名稱:FGD3245G2-F085V
數(shù)據(jù)手冊:FGD3245G2-F085V.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-252-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FGD3245G2-F085V是使用安森美半導(dǎo)體的 EcoSPARK? 2 工藝設(shè)計(jì)的 N 溝道 IGBT,有助于消除外部保護(hù)電路。該技術(shù)適用于在汽車點(diǎn)火系統(tǒng)的嚴(yán)酷環(huán)境中驅(qū)動(dòng)線圈,在更高的運(yùn)行溫度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。邏輯電平門極輸入具有 ESD 保護(hù),以及一個(gè)集成式門極電阻。集成式齊納電路會(huì)將 IGBT 的集極-射極電壓限制在 450 V,可實(shí)現(xiàn)需要更高火花電壓的系統(tǒng)。
產(chǎn)品規(guī)格
系列: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
IGBT 類型: -
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 450 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 23 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): 1.25V @ 4V,6A
功率 - 最大值: 150 W
開關(guān)能量: -
輸入類型: 邏輯
柵極電荷: 23 nC
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼 :TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝: DPAK
應(yīng)用
汽車點(diǎn)火線圈驅(qū)動(dòng)電路
高電流點(diǎn)火系統(tǒng)
插頭線圈應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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