商品名稱:MT53E256M16D1DS-046?AAT:B
數(shù)據(jù)手冊:MT53E256M16D1DS-046?AAT B.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:200-WFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B 具有低 VDDQ 的 4Gb 移動式低功耗 DDR4 SDRAM(LPDDR4X)是一種高速 CMOS 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。該器件內(nèi)部配置有 x16 I/O、8 塊。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型: 易失性
存儲器格式:DRAM DRAM
技術(shù):SDRAM - 移動 LPDDR4
內(nèi)存大?。?4Gbit
內(nèi)存組織: 256M x 16
時鐘頻率:2.133 GHz
電壓 - 電源 1.1V
工作溫度:-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼:200-WFBGA
供應(yīng)商器件封裝:200-WFBGA (10x14.5)
產(chǎn)品特性
頻率范圍 - 2133-10 MHz(數(shù)據(jù)速率范圍:4266-20 Mbps/引腳)
16n 預(yù)取 DDR 架構(gòu)
每個通道有 8 個內(nèi)部組,可同時運(yùn)行
單數(shù)據(jù)速率 CMD/ADR 輸入
每個芯片最高 8.5 GB/s
片上溫度傳感器可控制自刷新率
部分陣列自刷新 (PASR)
可選輸出驅(qū)動強(qiáng)度 (DS)
時鐘停止功能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機(jī)及外設(shè)、消費(fèi)電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點(diǎn)。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。電話咨詢:86-755-83294757
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