商品名稱:P 溝道 MOSFET
品牌:TI
年份:25+
封裝:SO-8FL
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NTMFS003P03P8Z是一款由(onsemi)制造的單 P 通道功率MOSFET,具有-30 V的漏源電壓和 -234 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為1.8 mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+150℃,適用于各種高功率應(yīng)用場(chǎng)景?。
技術(shù)規(guī)格
FET 類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):19.1A(Ta),234A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.8 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):167 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):12120 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):900mW(Ta),139W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SO-8FL
NTMFS003P03P8Z 典型應(yīng)用
? 電力負(fù)載開關(guān)
? 保護(hù):反向電流、過壓和反向負(fù)電壓
? 電池管理
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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DP83TC811SWRNDRQ1
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