ND171N18K單整流二極管 34 mm 功率塊 1800 V,171 A 模塊,用于采用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)的相位控制。
ND171N18K功能
壓力觸點(diǎn)技術(shù),可靠性高
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
電絕緣底板
故障時(shí)間短
最高的堅(jiān)固性和可靠性
ND171N18K優(yōu)點(diǎn)
專為滿足高過載和功率循環(huán)要求而設(shè)計(jì)
在整個(gè)使用壽命期間具有較高的直流阻斷穩(wěn)定性
高浪涌電流能力,尤其適用于電網(wǎng)短時(shí)尖峰電流
單一供應(yīng)商可提供各種功率模塊
ND171N18K產(chǎn)品屬性
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1800 V
電流 - 平均整流 (Io):171A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf) :1.26 V @ 500 A
速度: 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏: 20 mA @ 1800 V
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
工作溫度 - 結(jié): 150°C
ND171N18K應(yīng)用
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
風(fēng)能系統(tǒng)
牽引
商用車、工程車和農(nóng)用車 (CAV)
不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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