商品名稱:PSRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S80KS2563GABHV020 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,具有 xSPI(八進(jìn)制)接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) xSPI 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來,DRAM 陣列就好像內(nèi)存使用了無需刷新即可保留數(shù)據(jù)的靜態(tài)單元。因此,將該存儲(chǔ)器稱為偽靜態(tài) RAM(PSRAM)更為準(zhǔn)確。
S80KS2563GABHV020 的產(chǎn)品屬性
存儲(chǔ)器類型:易失性
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
存儲(chǔ)器大?。?56Mbit
存儲(chǔ)器組織:32M x 8
存儲(chǔ)器接口:SPI - 八進(jìn)制 I/O
時(shí)鐘頻率:200 MHz
寫入周期時(shí)間 - 字、頁:35ns
訪問時(shí)間:35 ns
電壓 - 電源:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C (TA)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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