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英飛凌IPG20N04S4L-11是一款 雙N溝道邏輯電平增強型功率MOSFET，屬于 OptiMOS? T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封裝。該器件具有 超低導(dǎo)通電阻（R_DS(on) = 10.1mΩ） 和 高電流承載能力（20A），適用于汽車電子、工業(yè)控制、輕負載開關(guān)等應(yīng)用。

IPG20N04S4L-11產(chǎn)品特性

雙N溝道MOSFET：支持邏輯電平增強模式，提供卓越的導(dǎo)通性能。

低導(dǎo)通電阻：最大導(dǎo)通電阻為11.6mΩ，確保高效功率傳輸。

高電流承載能力：支持最大20A的連續(xù)漏極電流。

耐壓值：漏源電壓（Vdss）為40V，適用于多種電源管理應(yīng)用。

封裝形式：采用PG-TDSON-8-4封裝，具有良好的熱性能和電氣性能。

環(huán)保合規(guī)：符合RoHS標準，支持無鉛工藝。

工作溫度范圍：-55℃至+175℃，適用于惡劣環(huán)境。

IPG20N04S4L-11關(guān)鍵參數(shù)

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：11.6mΩ @ 10V, 17A

耗散功率（Pd）：41W

閾值電壓（Vgs(th)）：2.2V

柵極電荷量（Qg）：26nC @ 10V

輸入電容（Ciss）：1.99nF @ 25V

反向傳輸電容（Crss）：30pF @ 25V

IPG20N04S4L-11潛在應(yīng)用

小型負載控制開關(guān)

車身應(yīng)用

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