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商品型號(hào):IMBG65R033M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-TO263-7

貨期:全新原裝

庫(kù)存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMBG65R033M2H
封裝
PG-TO263-7
描述
CoolSiC? 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

IMBG65R033M2H是一款CoolSiC? MOSFET,屬于650 V G2代產(chǎn)品,封裝在TO-263-7(D2PAK-7)包中?。這款MOSFET基于Generation 2技術(shù),IMBG65R033M2H相比第一代產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上有顯著提升,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),適用于AC-DC、DC-DC和DC-AC階段的各種組合?。


IMBG65R033M2H 參數(shù)

封裝 / 箱體:PG-TO263-7

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:58 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:41 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:34 nC

工作溫度:- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散:227 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:4.8 ns

封裝:Reel

產(chǎn)品:SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

上升時(shí)間:9.1 ns

系列:650V G2

晶體管類型:1 N-Channel

類型:CoolSiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns

典型接通延遲時(shí)間:8.8 ns


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

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TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

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D3PAK-3

2000

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TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

INFINEON

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