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SCTH35N65G2V-7AG 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET采用H2PAK-7封裝，具有67m?（典型值）和 45A（額定值）特性。該器件具有極低的柵極電荷和輸入電容、高速開關(guān)性能以及源極傳感引腳，可提高效率。應(yīng)用包括主逆變器(電力牽引)、用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：H2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：SCTH35

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