商品名稱:S70KS1283GABHV020
數(shù)據(jù)手冊:S70KS1283GABHV020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
S70KS1283GABHV020 128Mb HYPERRAM?器件是一種高速CMOS、自刷新DRAM,具有xSPI (Octal)接口。DRAM陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當內存沒有被xSPI接口主(主機)主動讀寫時,設備內的刷新控制邏輯管理DRAM陣列上的刷新操作。由于主機不需要管理任何刷新操作,因此在主機看來,DRAM陣列似乎使用靜態(tài)單元來保留數(shù)據(jù)而不進行刷新。因此,將內存更準確地描述為偽靜態(tài)RAM (PSRAM)。
產品規(guī)格:
存儲器類型:易失
存儲器格式:PSRAM
技術:PSRAM(偽 SRAM)
存儲容量:128Mb
存儲器組織:16M x 8
存儲器接口:SPI - 八 I/O
時鐘頻率:200 MHz
寫周期時間 - 字,頁:35ns
訪問時間:35 ns
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應商器件封裝:24-FBGA(6x8)
基本產品編號:S70KS1283
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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S70FS01GSAGBHI213是一款1Gbit(128MByte)的 NOR Flash 存儲器,支持SPI接口,工作電壓范圍為1.7V至2V,工作溫度范圍為-40℃至85℃??。該產品由 Infineon 生產,屬于其FS-S系列,具有較高的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力,能夠承受高達100,000次寫入循環(huán),并且數(shù)據(jù)保留時間長達…S25FS512SAGBHM210
S25FS512SAGBHM210是一款高性能的NOR存儲器芯片,具有512MBIT的存儲容量,支持多種串行接口和先進的數(shù)據(jù)保護功能。該芯片支持單線、雙線和四線SPI接口 ,并具備執(zhí)行在位(XIP)功能和高級扇區(qū)保護(ASP)。技術規(guī)格存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NOR存…S25FS512SAGBHI210
S25FS512SAGBHI210是一款由(Infineon)制造的閃存芯片 ,屬于非易失性存儲器,采用 Quad SPI閃存 格式,存儲容量為512Mb(64M x 8),時鐘頻率為133MHz,能夠通過四條數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸,廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)和存儲密集型應用中。技術規(guī)格存儲器類型:非易失存儲器…S25FS512SAGBHV210
S25FS512SAGBHV210是一款高性能的 Quad SPI閃存產品,具有512MBIT的存儲容量,它能夠通過四條數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸,廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)和存儲密集型應用中。技術規(guī)格存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NOR存儲容量:512Mb存儲器組織:64M x 8存儲器接…S25FS512SAGNFV013
S25FS512SAGNFV013是一款 NOR閃存 產品,由 Infineon 制造??。該產品支持單、雙和四通道SPI接口,具有執(zhí)行在位(Execute in Place, XiP)功能和高級扇區(qū)保護(ASP)特性?。其數(shù)據(jù)保留時間為20年,耐久性為100,000次循環(huán)?。技術規(guī)格存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存…電話咨詢:86-755-83294757
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