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英飛凌?64Mb HYPERRAM?器件是一種高速CMOS、自刷新DRAM，具有HYPERBUS?接口。該DRAM陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng)存儲器沒有被HYPERBUS?接口主站（主機(jī)）主動讀寫時，器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理DRAM陣列上的刷新操作。由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作，DRAM陣列在主機(jī)看來就像內(nèi)存使用靜態(tài)單元，無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。因此，該存儲器被更準(zhǔn)確地描述為偽靜態(tài)RAM（PSRAM）。

S27KS0642GABHI020產(chǎn)品屬性：

系列： HyperRAM? KS 

存儲器類型： 易失  

存儲器格式： PSRAM  

技術(shù)： PSRAM（偽 SRAM）  

存儲容量： 64Mbit  

存儲器組織： 8M x 8  

存儲器接口： HyperBus  

時鐘頻率： 200 MHz  

寫周期時間 - 字，頁： 35ns  

訪問時間： 35 ns  

電壓 - 供電： 1.7V ~ 2V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-VBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（6x8）  

基本產(chǎn)品編號： S27KS0642

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