商品名稱:NCV84045DR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCV84045DR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOP-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV84045DR2G是一款完全受保護(hù)的單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可用于開關(guān)各種負(fù)載,如燈泡、螺線管和其他執(zhí)行器。該器件集成了先進(jìn)的保護(hù)功能,如主動(dòng)浪涌電流管理、帶有自動(dòng)重啟功能的過溫關(guān)斷和過壓主動(dòng)鉗位。一個(gè)專門的電流感應(yīng)引腳為輸出提供精確的模擬電流監(jiān)測(cè),以及對(duì)VD短路、對(duì)地短路和OFF狀態(tài)開路負(fù)載檢測(cè)的故障指示。一個(gè)高電平電流感應(yīng)使能引腳允許所有診斷和電流感應(yīng)功能被啟用。
特性
? 短路保護(hù)與浪涌電流管理
? 兼容CMOS(3V/5V)控制輸入
? 非常低的待機(jī)電流
? 非常低的電流感應(yīng)漏電
? 比例負(fù)載電流感測(cè)
? 電流感測(cè)啟用
? 關(guān)閉狀態(tài) 負(fù)載開路檢測(cè)
? 輸出端對(duì)VD短路檢測(cè)
? 過載和對(duì)地短路指示
? 自動(dòng)重啟的熱關(guān)斷
? 低電壓關(guān)機(jī)
? 感應(yīng)式開關(guān)的集成鉗制
? 失地和失VD保護(hù)
? ESD保護(hù)
? 使用外部元件的電池反接保護(hù)
? 用于汽車和其他需要獨(dú)特現(xiàn)場(chǎng)和控制變化要求的應(yīng)用的NCV前綴;AEC-Q100 1級(jí)認(rèn)證和PPAP能力
? 這是一個(gè)無鉛器件
典型應(yīng)用
? 開關(guān)各種電阻性、感應(yīng)性和電容性負(fù)載
? 可替代機(jī)電式繼電器和分立電路
? 汽車/工業(yè)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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