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IQDH29NE2LM5CGSC：25V，N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-WHTFN-9

概述：

IQDH29NE2LM5CGSC - OptiMOS? 功率 MOSFET 25V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。該器件具有業(yè)內(nèi)最低的 0.29 mOhm RDS(on)，并具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵極基底面針對并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

IQDH29NE2LM5CGSC - 產(chǎn)品規(guī)格：

系列：OptiMOS? 5

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：75A（Ta），789A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.29 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.448mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：17000 pF @ 12 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHTFN-9-U02

封裝/外殼：9-PowerWDFN

應(yīng)用領(lǐng)域：

電信基礎(chǔ)設(shè)施

電源

服務(wù)器電源

計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

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