商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IQD063N15NM5CGSC OptiMOS功率MOSFET具有6.32 mOhm的低RDS(on),同時具有出色的散熱性能,便于功耗管理。
產(chǎn)品屬性:
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PG-WHTFN-9
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:151 A
Rds On-漏源導通電阻:6.32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.6 V
Qg-柵極電荷:48 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:333 W
通道模式:Enhancement
商標名:OptiMOS
特征:
N通道,正常電平
極低的導通電阻RDS(on)
卓越的耐熱性
雙面冷卻的優(yōu)化設計
100%雪崩測試
無鉛鉛鍍層;通過無鉛認證
根據(jù)IEC61249 221標準,不含鹵素
非常低的反向恢復電荷(Q)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢:86-755-83294757
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