GD950HTX75P6HFLB IGBT 功率模塊具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為混合動力和電動汽車等應用而設計。
封裝:P6
額定電流:950A
芯片類型:Trench-FS Gen1
額定電壓:750V
電路結構:Sixpack/六單元
特征:Pressfit,PINFIN基板
特性
? 低 VCE(sat) 溝槽式 IGBT 技術
? 低開關損耗
? 6μs 短路能力
? 具有正溫度系數(shù)的 VCE(sat)
? 最高結溫 175oC
? 低電感外殼
? 快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
? 采用 Si3N4 AMB 技術的隔離式銅針腳基板
典型應用
? 汽車應用
? 混合動力和電動汽車
? 電機驅動用逆變器
等效電路原理圖
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務,是目前國內(nèi)功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
ID10FFX60U5SS - 600V,10A 緊湊型 - IPM 模塊,采用最新的溝槽式 IGBT 技術,實現(xiàn)了良好的總體損耗權衡。型號:ID10FFX60U5SS(緊湊型 - IPM 模塊)封裝:U5額定電壓:600V額定電流:10A芯片類型:Trench-FS Gen1電路結構:Sixpack/六單元ID10FFX60U5SS - 引腳配置:ID1…ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V,5A 緊湊型 - IPM 模塊,U5封裝型號:ID05FFX60U5SS(緊湊型 - IPM 模塊)封裝:U5額定電流:5A芯片類型:Trench-FS Gen1額定電壓:600V電路結構:Sixpack/六單元ID05FFX60U5SS - 產(chǎn)品特點:通過 UL 1557 認證。采用最新的溝槽式 IGBT 技術,實現(xiàn)了…DG75H12T2
DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG75H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…DG50H12T2
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