CAS175M12BM3 - 1200V、8mΩ 半橋碳化硅功率模塊
產(chǎn)品描述
CAS175M12BM3 是 1200V 半橋碳化硅功率模塊。它具有碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢,同時保持了堅固耐用的行業(yè)標準 62 毫米模塊封裝。Wolfspeed 62 毫米 BM3 封裝的內(nèi)部設計實現(xiàn)了高速碳化硅開關(guān)優(yōu)勢,并由于低電感布局而提高了系統(tǒng)效率。
主要特點
業(yè)界領(lǐng)先、可靠的碳化硅 MOSFET 技術(shù),采用穩(wěn)健、成熟的 62 毫米封裝形式
低電感設計(10 - 15 nH),可實現(xiàn)快速開關(guān)和低功率損耗
系統(tǒng)優(yōu)勢
廣泛的電流和電壓額定值組合可滿足各種工業(yè)應用要求
從 62 mm IGBT 封裝過渡所需的開發(fā)工作最少,上市時間短
降低冷卻要求和整體系統(tǒng)成本
優(yōu)化內(nèi)部布局,實現(xiàn)低功率損耗和最小過沖,最大限度地提高電壓利用率
應用
感應加熱
電機驅(qū)動
能源發(fā)電/智能電網(wǎng)/智能能源
電動汽車快速充電
UPS 和 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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