商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
AIMZH120R010M1T憑借英飛凌的性能優(yōu)化芯片技術(shù)(Gen1p),SiC Mosfet 具有同類最佳的開關(guān)性能、對(duì)寄生開通的穩(wěn)健性以及改進(jìn)的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本,使其成為車載充電器和 DCDC 應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):202A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.3 毫歐 @ 93A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.1V @ 30mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):178 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+23V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5703 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):750W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-11
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
板載充電器
直流/直流轉(zhuǎn)換器
輔助驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,屬于 CoolSiC? 第五代 產(chǎn)品系列,采用 TO-247-3 封裝BSZ42DN25NS3G
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CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器,具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS? N 溝道汽車 MOSFET 晶體管。IPD14N06S2-80 的特性N 溝道 - 增強(qiáng)模式通過(guò)汽車 AEC Q101 認(rèn)證MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260C175C 工作溫度綠色封裝(無(wú)鉛)超低 Rds(on)100% 雪崩測(cè)試IPD14N06S2-80 的優(yōu)勢(shì)在 55V(導(dǎo)通)電壓下,為平面技…IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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