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UJ4C075033L8S - 750V、33mohm G4 SiC FET 晶體管

該器件具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，是開關(guān)電感負載和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)： 碳化硅  

安裝方式：SMD/SMT

封裝/外殼 MO-229-8  

晶體管極性 N 通道  

通道數(shù) 1 通道  

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：750 V  

Id - 持續(xù)漏極電流：44 A  

Rds On - 漏極-源極電阻： 41 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓： + 20 V  

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：6 V  

Qg - 柵極電荷： 37.8 nC  

Pd - 功率耗散：205 W

通道模式： 增強

產(chǎn)品類型 MOSFET 晶體管

主要特性

導通電阻 RDS(on)： 33 歐姆（典型值）

工作溫度 175℃（最高）

出色的反向恢復能力： Qrr = 89nC

低體二極管 VFSD：1.26V

低柵極電荷： QG = 37.8nC

閾值電壓 VG(th)： 4.8V（典型值），允許 0 至 15V 驅(qū)動電壓

低本征電容

ESD 保護： HBM 等級 2 和 CDM 等級 C3

TOLL 封裝，開關(guān)速度更快，柵極波形更清晰

典型應用

服務器和電信電源

開關(guān)模式電源

直流-直流轉(zhuǎn)換器電路

電動汽車充電站

光伏逆變器

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