商品名稱:NCP1343FNAAABCD1R2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP1343FNAAABCD1R2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:10-SOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP1343FNAAABCD1R2G是一款高度集成的準(zhǔn)諧振反激式控制器,適用于設(shè)計(jì)高性能離線電源轉(zhuǎn)換器。采用專有的谷值鎖定電路、確保穩(wěn)定的谷值開關(guān)。該系統(tǒng)可工作到第 6 谷,并轉(zhuǎn)換為頻率折返模式,以降低開關(guān)損耗。當(dāng)負(fù)載進(jìn)一步減小時(shí),器件會(huì)進(jìn)入靜音-翹曲模式來管理功率輸出,同時(shí)最大限度地降低聲噪。此外,還集成了功率偏移模式(PEM) 以最大限度地減小需要高瞬態(tài)負(fù)載能力的設(shè)計(jì)中的變壓器尺寸。
產(chǎn)品屬性
輸出隔離:隔離
內(nèi)部開關(guān):無
電壓 - 擊穿:700V
拓?fù)洌悍醇?/span>
電壓 - 啟動(dòng):17 V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
占空比:75%
頻率 - 開關(guān):500kHz
故障保護(hù):限流,過載,超溫,過壓,短路
控制特性:頻率控制,軟啟動(dòng)
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
封裝/外殼:10-SOP(0.154",3.90mm 寬),9 引線
供應(yīng)商器件封裝:9-SOIC
安裝類型:表面貼裝型
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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