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NVTYS9D6P04M8LTWG 是 40V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 P 通道  

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 16A（Ta），71A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 9.6 毫歐 @ 25A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3V @ 580μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2368 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 3.9W（Ta），75W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級 汽車級  

資質 AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 8-LFPAK  

封裝/外殼 SOT-1205，8-LFPAK56 

特性

小尺寸（3.3 x 3.3 mm），適合緊湊型設計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低電容，將驅動器損耗降至最低

通過 AEC-Q101 認證，符合 PPAP 要求

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。