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UF3SC120009K4S碳化硅場效應晶體管器件采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置。該器件采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常關型 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT 的真正 "直接替代品"。該器件采用 TO-247-4L 封裝，具有超低柵極電荷和優(yōu)異的反向恢復特性、使其成為開關電感負載和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：11毫歐 @ 100A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：234 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8512 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：789W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應用

● EV充電

● 光伏逆變器

● 開關電源

● 功率因數(shù)校正模塊

● 電機驅(qū)動器

● 感應加熱

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