商品名稱:IMW120R007M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊:IMW120R007M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:240 件
IMW120R007M1H 采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,實(shí)現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動
寬柵源電壓范圍
堅(jiān)固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴(kuò)散焊技術(shù),可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動汽車快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…IPD70R600P7S
IPD70R600P7S是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET,屬于 CoolMOS? P7 系列,采用 TO-252-3(DPAK)封裝,適用于高壓、高頻開關(guān)應(yīng)用,如 電源適配器、充電器、工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動 等領(lǐng)域。S6E2H46G0AGB3000A
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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