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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):IMZA120R014M1HXKSA1

商品名稱:IMZA120R014M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:IMZA120R014M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:21+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:240

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMZA120R014M1HXKSA1
封裝
TO-247-4
描述
采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。


特征描述

出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓,實(shí)現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動(dòng)

寬柵源電壓范圍

堅(jiān)固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴(kuò)散焊技術(shù),可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

電池化成

電動(dòng)汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

太陽能系統(tǒng)解決方案

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

G2R1000MT33J

Navitas

TO-263-7

3000

3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

LSIC1MO120G0025

Littelfuse

TO-247-4

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

NTBL023N065M3S

ON

H-PSOF-8

2000

650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC080SMA120SA

Microchip

TO-263-7

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC060SMA070SA

Microchip

TO-263-7

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC040SMA120SD

Microchip

D3PAK-3

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

MSC035SMA070SC

Microchip

D3PAK-3

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH80N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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