商品名稱:FAM65CR51XZ2
數(shù)據(jù)手冊(cè):FAM65CR51XZ2.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:12-SIP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FAM65CR51XZ2是一款汽車電源模塊,采用圖騰柱配置,使用51Mohm SuperFET3 MOSFET和Stealth(TM)二極管,用于OBC系統(tǒng)的PFC級(jí)。該高功率版本使用AlN基板材料,具有極高的熱性能。
特性
?集成SIP或DIP升壓轉(zhuǎn)換器級(jí)電源模塊,用于EV或PHEV車載充電器(OBC)EV或PHEV車載充電器(OBC)
?5 kV/1秒電隔離基板,易于組裝
?符合IEC60664?1、IEC 60950?1的爬電距離和電氣間隙
?設(shè)計(jì)緊湊,模塊總電阻低
?模塊序列化,實(shí)現(xiàn)全面可追溯性
?使用AlN基板,熱阻低
?AEC?Q101 AQG324合格且PPAP可用
?符合UL94V?0標(biāo)準(zhǔn)
?這些器件無(wú)鉛且符合RoHS規(guī)范
應(yīng)用
? PHEV或EV車載充電器的PFC級(jí)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
N2DIP-26L
3000
功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 6 A 26-PowerDIP 模塊(0.846",21.48mm)
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅堋<夹g(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅堋<夹g(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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