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IPW60R099P7是用于高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)。(SJ)原理設(shè)計，并由英飛凌技術(shù)公司率先推出。該器件是繼 CoolMOS?P6 系列之后的又一成功產(chǎn)品。它將快速開關(guān) SJMOSFET 的優(yōu)點與出色的易用性結(jié)合在一起，例如非常容易使用。此外，極低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗使開關(guān)應(yīng)用變得更加高效、緊湊和低溫冷卻。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 10.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 530μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1952 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：117W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● PFC 級、硬開關(guān) PWM 級和無源開關(guān)級

● PCSilverbox、適配器、LCD&PDPTV、照明、服務(wù)器、電信和 UPS

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