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IPB60R180C7 功率MOSFET標(biāo)志著技術(shù)的革命性進步，它實現(xiàn)了低RDS(on)/封裝，而且，由于其開關(guān)損耗低，故在整個負(fù)載范圍內(nèi)提高效率。C7系列優(yōu)化用于太陽能、服務(wù)器、電信和UPS等應(yīng)用中的硬開關(guān)拓?fù)洌ㄈ绻β室驍?shù)校正 (CCM PFC)、雙晶體管正激 (TTF) 和太陽能升壓）。該系列器件具有650V擊穿電壓，因此適合用于需要額外安全裕度的太陽能和開關(guān)模式電源 (SMPS) PFC級。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：130 毫歐 @ 5.3A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 260μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1080 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：68W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA

應(yīng)用

● 遠程通訊

● 服務(wù)器

● 太陽能

● PC電源

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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