商品名稱：NTLJS3D0N02P8ZTAG
品牌：ON
年份：23+
封裝：6-PQFN
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
NTLJS3D0N02P8ZTAG 是 MOSFET、功率、單 20V/±12 N 溝道、3.8mΩ @ 4.5V、20.2A 晶體管。
特性
超低 RDS（導通）
4 平方毫米的小尺寸
無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑
應用
直流-直流轉換器
電源管理和保護
無線充電
電池管理和保護
電池管理和保護
型號
品牌
封裝
數量
描述
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數據接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關和導通損耗，可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢：86-755-83294757
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