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IQE013N04LM6SC 6功率MOSFET是先進的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術，顯著提升了性能。與同類產品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并針對同步整流進行了優(yōu)化。另外，該器件保持了輸出更高功率的優(yōu)勢，其中RDS(on) 損耗顯著降低，從而在整個工作范圍內進一步提高了性能。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Ta），205A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.35 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 51μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3800 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-WHSON-8-1

封裝/外殼：8-PowerWDFN

應用

● SMPS

● 服務器

● 電信

● 充電器

● 驅動器

● 遙控直升機

● 無線充電

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