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NVMYS3D3N06CLTWG是符合AEC-Q101標準的單N通道MOSFET，占位面積小 (5mm x 6mm)，非常適合用于緊湊型設計。這些器件具有低漏極-源極導通電阻，可最大限度地降低導通損耗，并具有低柵極電荷和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。這些汽車級功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，具有較寬的工作溫度范圍（-55°C至+175°）。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），133A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：40.7 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2880 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

應用

● 汽車

● 不間斷電源

● 太陽能逆變器

● 電機驅(qū)動器

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。