商品名稱：NTMFD024N06CT1G
數據手冊：
NTMFD024N06CT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-DFN
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
NTMFD024N06CT1G N溝道MOSFET是采用先進的功率溝槽工藝（結合屏蔽柵極技術）生產的60V MOSFET。該工藝經過優(yōu)化，可最大限度地降低導通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關性能。
產品屬性
技術： MOSFET（金屬氧化物）
配置 ：2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）： 60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 8A（Ta），24A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 22.6 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 333pF @ 30V
功率 - 最大值： 3.1W（Ta），28W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 8-PowerTDFN
供應商器件封裝： 8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）
典型應用
? 電動工具、電池驅動真空吸塵器
? 無人機/無人駕駛飛機、材料處理
? BMS/ 存儲、家庭自動化
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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AFGH4L25T120RWD
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