商品名稱:NCH-RSL15-512-101Q40-ACG
數(shù)據(jù)手冊:NCH-RSL15-512-101Q40-ACG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:40-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCH-RSL15-512-101Q40-ACG 是一款基于 Arm? Cortex?-M33 處理器的超低功耗安全藍牙低功耗 5.2 無線 MCU,專為工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中的聯(lián)網(wǎng)智能設(shè)備而設(shè)計。
產(chǎn)品屬性
類型:TxRx + MCU TxRx + MCU
射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):藍牙
協(xié)議:藍牙 v5.2
調(diào)制:4-FSK、GFSK、MSK、O-QPSK
頻率:2.4 千兆赫
數(shù)據(jù)傳輸速率(最大):2Mbps 2Mbps
功率 - 輸出:6dBm
靈敏度: -102dBm
內(nèi)存大?。?512KB 閃存,80KB RAM
串行接口:I2C、PCM、PWM、SPI、UART
GPIO: 15
電壓 - 電源 1.2V ~ 3.6V
電流 - 接收:2.7mA ~ 6.7mA
電流 - 發(fā)射 4.3mA ~ 24.1mA
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:40-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:40-QFN (5x5)
主要功能
80 KB RAM(64 KB 用戶 RAM、16 KB 基帶 RAM)
兩個具有 QSPI 功能的 SPI 端口
通過藍牙低功耗 5.2 認(rèn)證,具有以下主要功能
多達 10 個同時連接
長距離(編碼物理層)
2 Mbit PHY(高速)
到達角(AoA)和離去角(AoD)
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可配置的發(fā)射功率: -17 dBm 至 +6 dBm
數(shù)據(jù)傳輸速率:62.5 kbps 至 2000 kbps
頻率高達 48 MHz 的 Arm Cortex-M33 處理器
Arm TrustZone? 支持安全執(zhí)行區(qū)
提供兩種閃存容量:284 KB 閃存(僅限 QFN)或 512 KB 閃存
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SILICON
QFN
1129
IC RF TxRx + MCU 藍牙 藍牙 v5.2 2.4GHz ~ 2.4835GHz 32-VFQFN 裸露焊盤
NORDIC
WLCSP-33
1000
IC RF TxRx + MCU 802.15.4 802.15.4,Zigbee? 2.4GHz 33-UFBGA,WLCSP
SILICON
QFN
1000
IC RF TxRx + MCU 藍牙 藍牙 v5.2 2.4GHz ~ 2.4835GHz 32-XFQFN 裸露焊盤
SILICON
QFN
1129
IC RF TxRx + MCU 藍牙 藍牙 v5.2 2.4GHz ~ 2.4835GHz 32-VFQFN 裸露焊盤
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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