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參數(shù)描述
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操作
產(chǎn)品說明：表面貼裝型 N 通道 80 V 300A（Tj） 325W（Tc） PG-HSOG-4-1
封裝：PG-HSOG-4
產(chǎn)品說明：80V，N-Ch，最大 3.4 mΩ，汽車 MOSFET，SSO8 (5x6)，OptiMOS? 7
封裝：PG-TDSON-8
產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說明：80V，N-Ch，最大 2.4 mΩ，汽車 MOSFET，SSO8 (5x6)，OptiMOS? 7
封裝：PG-TDSON-8
產(chǎn)品說明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說明：200 A、40 V、采用 OptiMOS?-7 技術的汽車功率 MOSFET
封裝：PG-HSOG-4
產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝
封裝：PG-WHTFN-9
產(chǎn)品說明：OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS（on）
封裝：PG-WHSON-8
產(chǎn)品說明：200 A、40 V、采用 OptiMOS?-7 技術的汽車功率 MOSFET
封裝：PG-HSOG-4
產(chǎn)品說明：采用 OptiMOS?-7 技術的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝：PG-TSDSON-8
產(chǎn)品說明：150A，40V，汽車功率 MOSFET 晶體管，PG-HSOG-4
封裝：PG-HSOG-4
產(chǎn)品說明：采用 OptiMOS?-7 技術的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝：PG-TSDSON-8
產(chǎn)品說明：30V，N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-WHSON-8
封裝：PG-WHSON-8電話咨詢：86-755-83294757
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